제조업체 제품 번호:
TSM1NB60SCT B0G
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM1NB60SCT B0G-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
상세 설명:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
재고:
12899688
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
XkqM
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
TSM1NB60SCT B0G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
500mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
138 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-92
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
추가 정보
다른 이름들
TSM1NB60SCT B0GDKR
TSM1NB60SCT B0GDKRINACTIVE-DG
TSM1NB60SCT B0GTR-DG
TSM1NB60SCTB0GCTINACTIVE
TSM1NB60SCTB0G
TSM1NB60SCT B0GCT
TSM1NB60SCT B0GCTINACTIVE-DG
TSM1NB60SCT B0G-DG
TSM1NB60SCT B0GCT-DG
TSM1NB60SCT B0GDKR-DG
TSM1NB60SCTB0GDKRINACTIVE
TSM1NB60SCT B0GTR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STQ1HNK60R-AP
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
7445
부품 번호
STQ1HNK60R-AP-DG
단가
0.20
대체 유형
Similar
부품 번호
STQ2HNK60ZR-AP
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
9835
부품 번호
STQ2HNK60ZR-AP-DG
단가
0.28
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
TSM1N45CW RPG
MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223
DMP1080UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
DMTH6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
